7月1日，西安高新區(qū)重點項目集中開工、竣工儀式舉行，據(jù)西安高新區(qū)消息，此次集中竣工投用儀式的項目共有25個，總投資560億元，包括三星12英寸閃存芯片二期一階段等項目。

西安高新區(qū)發(fā)文指出，這些項目的順利投產(chǎn)，將為高新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入更強大的動能，進一步鞏固高新區(qū)全球半導體產(chǎn)業(yè)基地的地位。

資料顯示，三星存儲芯片二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩個階段進行，其中第一階段項目總投資70億美元；第二階段投資80億美元。

2020年3月10日，三星（中國）半導體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線。據(jù)新華社上個月報道，三星（中國）半導體有限公司高端存儲芯片二期第一階段預計在今年第三季度實現(xiàn)滿產(chǎn)。

據(jù)此前的消息指出，三星高端存儲芯片二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

———— / END / ————

引用自:全球半導體觀察

免責聲明:源自全球半導體觀察。文章內(nèi)容系作者個人觀點，轉(zhuǎn)載僅為了傳達不同觀點交流與提升半導體行業(yè)認知，不代表對該觀點贊同或支持，如轉(zhuǎn)載涉及版權等問題，請發(fā)送消息至公號后臺與我們聯(lián)系，我們將在第一時間處理，非常感謝。