國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際在Q4季度中已經(jīng)量產(chǎn)14nm工藝，貢獻(xiàn)了1%的營(yíng)收，該工藝能夠滿足國(guó)內(nèi)95%的芯片生產(chǎn)。

中芯國(guó)際14nm工藝現(xiàn)在最重要的問(wèn)題還是產(chǎn)能，主要是在上海的中芯南方12英寸晶圓廠生產(chǎn)，去年底也就生產(chǎn)了1000片晶圓左右，產(chǎn)量很低。

根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松的說(shuō)法，14nm月產(chǎn)能將在今年3月達(dá)到4K，7月達(dá)到9K，12月達(dá)到15K。

中芯國(guó)際的14nm產(chǎn)能在15K晶圓/月之后應(yīng)該不會(huì)繼續(xù)提升了，還有更新的工藝。

其中基于14nm改良的12nm工藝也進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段了，該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%。

不過(guò)14nm工藝相比臺(tái)積電、三星的工藝依然存在2-3代的差距，而且滿足不了制造當(dāng)前最高性能水平的處理器，所以中芯國(guó)際還在發(fā)展更新一代的N+1、N+2工藝。

在這次的財(cái)報(bào)會(huì)議上，梁孟松博士也首次公開了N+1、N+2代工藝的情況，他說(shuō)N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

中芯國(guó)際一直沒(méi)有明確14nm之后是否跳過(guò)10nm工藝，所以這個(gè)N+1到底是10nm還是7nm不能確定，但根據(jù)上面的說(shuō)法，N+1基本上可以確定是7nm級(jí)別的工藝了，因?yàn)樾酒娣e縮減55%意味著晶體管密度提升了1倍，這超過(guò)了14nm到10nm工藝的進(jìn)化水平，臺(tái)積電從14nm到7nm也就是提升了1倍的密度。

不過(guò)梁孟松也提到了，N+1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似，但性能不如，業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35%，所以中芯國(guó)際的N+1工藝主要開始面向低功耗的。

N+1之后還會(huì)有N+2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于 性能及成本，N+2顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

至于備受關(guān)注的EUV光刻機(jī)，梁孟松表示在當(dāng)前的環(huán)境下，N+1、N+2代工藝都不會(huì)使用EUV工藝，等到設(shè)備就緒之后，N+2之后的工藝才會(huì)轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。

從梁孟松的解釋來(lái)看，中芯國(guó)際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電的路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+，前兩代工藝也沒(méi)用EUV光刻機(jī)，只有N7+工藝上才開始用EUV工藝，不過(guò)光罩層數(shù)也比較少，5nm節(jié)點(diǎn)寸是充分利用EUV光刻工藝的，達(dá)到了14層EUV光罩。

還有就是中芯國(guó)際的7nm級(jí)工藝問(wèn)世時(shí)間，之前的財(cái)報(bào)中梁孟松提到是在2020年底開始試驗(yàn)產(chǎn)能，真正生產(chǎn)要到2021年了。

來(lái)源：快科技